インフィニオンは、次世代AIプロセッサ向けにTLVR技術を統合したの4相パワーモジュール「TDM24745T」を発表した。高電流密度と高速過渡応答を両立することで、AIアクセラレーターの性能向上と省エネ化を下支えする狙いだ。

Kenneth Researchは調査レポート「グローバルインテリジェントパワーモジュール市場：世界的な需要の分析及び機会展望2030年」2021年09月 08日 に発刊しました。レポートは、企業概要 、製品種類、販売量 、市場規模 、メーカ概要 、市場シェア 、などが含まれ ...

本セミナーの募集は終了いたしました。現在募集中のセミナーは、日経BPセミナーナビ（日経BPのセミナー総合サイト）からご覧いただけます。 このセミナーは会場にお越しいただく来場型セミナーです。 来場型セミナーでの感染症予防対策については ...

ミネベアミツミの連結子会社であるミネベアパワーデバイスとサンケン電気は、民生品および産業品向けインテリジェントパワーモジュール市場において、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで合意した。 脱炭素社会への貢献 ...

最先端パワー半導体の開発を行う京大発ベンチャーの株式会社FLOSFIA(本社：京都市西京区、代表取締役社長：人羅俊実、以下「FLOSFIA」)は、小型・薄型・低電力損失で金型レスの新型パワーモジュール（注)の開発を完了しました。 最先端パワー半導体の開発 ...

東芝は6月4日、絶縁基板に「樹脂」を用いたSiCパワー半導体モジュールにおいて、単位面積あたりの電力処理能力を示す「電力密度」を向上可能な樹脂絶縁型「SiCパワー半導体モジュール(SiCパワーモジュール)」を開発したことを発表した。 SiCパワー ...

セミクロンとローム、SiCパワーデバイスの新たな協業をスタート ロームのSiC技術がセミクロンの次世代EV向けパワーモジュールeMPack(R)を強化 セミクロン（本社:ドイツ ニュルンベルグ）とローム株式会社（本社:京都市）は、SiC（シリコンカーバイド:炭化 ...

新チップ構造によりパワーモジュールへのSBD内蔵 SiC-MOSFET の適用を実現 特定チップにサージ電流が集中するメカニズムを世界で初めて解明し新チップ構造で回避 ＊図1は添付の関連資料を参照 三菱電機株式会社は、サンプル提供を5月31日に開始した鉄道車両 ...

SiCパワーモジュールにおける並列接続チップ間の寄生発振を 高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワー ...

ミネベアミツミ株式会社（本社：長野県、代表取締役会長CEO ：貝沼 由久）の連結子会社であるミネベアパワーデバイス株式会社（本店：茨城県、取締役社長 鈴木 雅彦、以下、「ミネベアパワーデバイス」）とサンケン電気株式会社（本店：埼玉県、代表 ...

YH Research株式会社（本社：東京都中央区）は調査レポート「グローバルフルSiCパワーモジュールのトップ会社の市場シェアおよびランキング 2024」を5月15日に発行しました。本レポートでは、フルSiCパワーモジュール市場の製品定義、分類、用途、企業、産業 ...

韓国自動車メーカーのトラクションインバータの効率向上と軽量化に貢献し、EVの航続距離延長と性能向上を実現 インテリジェントなパワーおよびセンシング技術のリーディング・サプライヤであるオンセミ（onsemi、本社 米国アリゾナ州フェニックス、Nasdaq ...