インフィニオンは、次世代AIプロセッサ向けにTLVR技術を統合したの4相パワーモジュール「TDM24745T」を発表した。高電流密度と高速過渡応答を両立することで、AIアクセラレーターの性能向上と省エネ化を下支えする狙いだ。

ミネベアミツミの連結子会社であるミネベアパワーデバイスとサンケン電気は、民生品および産業品向けインテリジェントパワーモジュール市場において、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで合意した。 脱炭素社会への貢献 ...

三菱電機は、電気自動車(EV)やプラグインハイブリッド車(PHEV)用モーターなどのインバータ駆動に用いられるxEV用パワー半導体モジュールとして、SiC-MOSFETやRC-IGBT(Si)素子を搭載した「J3-T-PM」を開発。2024年1月24日～26日にかけて東京ビッグサイトにて開催され ...

新型SiCモジュール搭載の3相インバータ向けリファレンスデザインを公開！ ローム株式会社（本社 : 京都市）は、EcoSiC(TM ...

レゾナックは1月17日、自動車の電動化に欠かせない「パワー半導体」と、これをパッケージした「パワーモジュール」の材料開発を強化するため、栃木・小山事業所内に「パワーモジュールインテグレーションセンター」（PMiC）を本格始動させると発表した。

電力密度を大幅に向上可能な「樹脂絶縁型SiCパワー半導体モジュール」を開発 ～「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」で、 熱抵抗を21％低減。電力変換器の小型化によりカーボンニュートラルの実現に貢献～ 概要 当社は、絶縁 ...

高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

三菱電機株式会社は、電気自動車（EV）やプラグインハイブリッド車（PHEV）用モーター等のインバーター駆動に用いるxEV用パワー半導体モジュールとして、小型化を実現し、SiC-MOSFET（※1）やRC-IGBT（Si）（※2）素子を搭載したJ3-T-PMを開発しました。J3-T-PMを ...

2024年におけるIGBTパワーモジュールの世界市場規模は、7604百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率（CAGR）13.6%で成長し、2031年までに18340百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 IGBTパワーモジュール ...

最先端パワー半導体の開発を行う京大発ベンチャーの株式会社FLOSFIA(本社：京都市西京区、代表取締役社長：人羅俊実、以下「FLOSFIA」)は、小型・薄型・低電力損失で金型レスの新型パワーモジュール（注)の開発を完了しました。 最先端パワー半導体の開発 ...

【無錫（中国）2020年7月14日PR Newswire】MWT PVモジュールのGWスケールで世界初のメーカーであり、BIPV市場の成長を目指すS6フレキシブルモジュール製品を最適化したと最近発表しました。 2018年に発表され、その後パイロットラインでの生産に成功したS6は ...