東京大学は12月6日、三菱電機、東芝デバイス＆ストレージ、東京工業大学、明治大学、九州大学、九州工業大学と共同で、基板の裏面にもMOSゲート部を有する「シリコン絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」(IGBT)を両面リソグラフィプロセスを用いて試作 ...

IRPSは1962年以来、毎年春に開催されてきた。50年を超える歴史と伝統の国際学会である。2009年～2012年の開催規模を振り返ると、発表を目指して投稿された論文(アブストラクト論文)の数(投稿論文数)は2009年が272件、2010年が264件と250件を超えていたのに対し ...

The National Institute for Advanced Industrial Science and Technology (AIST, President: Hiroyuki Yoshikawa) and Tohoku University (President: Takashi Yoshimoto) have succeeded in manufacturing a ...

東北大学(東北大)は、GeチャネルMOSトランジスタの製造プロセスにおけるゲート絶縁膜形成に、無損傷で低温酸化が実現できる中性粒子ビーム酸化プロセスを用いて、2.0nm以下の極薄高品質Ge酸化膜の直接形成を実現し、電気的にMOSトランジスタ界面が超低 ...

－電流方向にひずみをかけ電子移動度を2.2倍に改善－ 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 吉川 弘之】（以下「産総研」という）次世代半導体研究センター【センター長 廣瀬 全孝】と技術研究組合 超先端電子技術開発機構【理事長 西田 厚聰 ...

“酸化ガリウム（Ga2O3）MOSトランジスタ”を世界で初めて実現！ ～日本発、“革新的次世代半導体パワーデバイス”の実用化に道～ 独立行政法人情報通信研究機構（理事長：坂内 正夫）は、株式会社タムラ製作所（代表取締役社長：田村 直樹）、株式会社 ...

ラピダスがGAAトランジスタを試作した300mmウェーハ出典：ラピダス 日本にラピダスというファウンドリ企業ができて、ようやく半導体産業に活気が戻りつつある。いきなり2nmプロセスノードに相当するGAA（ゲートオールアラウンド）構造のMOSトランジスタで ...

東京工業大学(東工大)は4月25日、新しい二次元材料である二硫化ハフニウム(HfS2)を用いたMOSトランジスタを開発したと発表した。 同成果は、東京工業大学 工学院 電気電子系 宮本恭幸教授、理化学研究所、岡山大学らの研究グループによるもので、3月1 ...

東京大学は、従来のトランジスタと比べて極めて低い0.3V程度の電圧で動作しうる、トンネル電流を用いた新しいトランジスタの開発に成功した。亜鉛を用いた新しい接合形成技術により、従来のトランジスタとほぼ同等の構造で高い性能を有する。新しい ...